半導体装置及びその作製方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999316129
Publication number (International publication number)：2001135824
Application date： Nov. 05, 1999
Publication date： May. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】 TFTに代表される絶縁ゲート型トランジスタに適したゲート絶縁膜、及びその作製方法を提供し、そのようなゲート絶縁膜を用いTFTのVthやS値などの特性の安定性及び信頼性を確保することを目的とする。【解決手段】上記問題点を解決するために本発明は、プラズマCVD法でSiH4、N2O、H2を用いて酸化窒化シリコン膜を作製し、この膜をTFTのゲート絶縁膜に適用する。酸化窒化シリコン膜の特性は主にN2OとH2の流量を変化させて制御する。H2の流量の増加により膜中の水素濃度と窒素濃度を上記範囲内において増加させることができる。また、N2Oの流量の増加により膜中の水素濃度と窒素濃度が減少し酸素濃度を高くすることができる。

Claim (excerpt)：

半導体層と、ゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁膜とが設けられ、前記ゲート絶縁膜は、少なくとも前記半導体層と接する第1の層と前記ゲート電極と接する第2の層とを有し、前記第1の層は、水素濃度が1.5〜5atomic%で、窒素濃度が2〜15atomic%で、酸素濃度が50〜60atomic%の酸化窒化シリコン膜であり、前記第2の層は、水素濃度が0.1〜2atomic%で、窒素濃度が0.1〜2atomic%で、酸素濃度が60〜65atomic%の酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 21/318

FI (3)：

H01L 21/318 C , H01L 29/78 617 U , H01L 29/78 617 T

F-Term (74)：

5F058BB04 , 5F058BB07 , 5F058BC11 , 5F058BD01 , 5F058BD15 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BF39 , 5F058BJ10 , 5F110AA01 , 5F110AA03 , 5F110AA06 , 5F110AA08 , 5F110AA13 , 5F110AA19 , 5F110AA22 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110DD07 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD24 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110FF04 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP35 , 5F110QQ01 , 5F110QQ09 , 5F110QQ12 , 5F110QQ19 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-165931 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-304063 Applicant：旭硝子株式会社, 三菱電機株式会社

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