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J-GLOBAL ID：200903046822848490

GaN系の半導体素子

Inventor： 野杁 静代 ,  柴田 直樹 ,  伊藤 潤 ,  千代 敏明
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998287485
Publication number (International publication number)：1999195814
Application date： Oct. 09, 1998
Publication date： Jul. 21, 1999
Summary：

【要約】【目的】 Si基板などの半導体基板上に形成されたGaN系の半導体層にクラックが入らないようにする。【構成】 半導体基板のc面とGaN系の半導体層との間に酸化Al層(若しくは酸化Al層/Al層)及びTi層を設ける。

Claim (excerpt)：

c面を主面とする半導体基板層と、金属酸化層と、Ti層と、GaN系の半導体層と、が順次積層されている半導体素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-051141   Applicant：株式会社東芝
• 半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-327259   Applicant：株式会社東芝
• III 族窒化物半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-125238   Applicant：富士電機株式会社