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J-GLOBAL ID：200903046824769767

半導体ナノ粒子、その製造方法、及び半導体ナノ粒子蛍光試薬

Inventor： 佐藤 恵一 ,  桑畑 進
Applicant, Patent owner： 日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社
Agent (3)： 平木 祐輔 ,  渡辺 敏章 ,  関口 鶴彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002213599
Publication number (International publication number)：2004051863
Application date： Jul. 23, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：

【課題】バンドギャップ蛍光を特異的に持つ半導体ナノ粒子を調製するためには、多くの過程が必要であり、技術および安全性の観点から、工業的に製造することは非常に困難であった。【解決手段】半導体ナノ粒子表面に下記一般式で示される修飾基が結合している蛍光特性を有する半導体ナノ粒子、その製造方法、及び半導体ナノ粒子蛍光試薬。【化1】-OY[ここで、Yは、水素原子、金属原子、半金属原子、有機基、金属原子又は半金属原子を介する有機基から選ばれる。]半導体ナノ粒子表面を水酸基等で修飾することにより表面を安定化し、バンドギャップ蛍光のみを顕著に発する蛍光特性を持つ半導体ナノ粒子を得ることができた。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体ナノ粒子表面に下記一般式で示される修飾基が結合している蛍光特性を有する半導体ナノ粒子。

IPC (10)：

C09K11/08 ,  C01G11/02 ,  C09K11/54 ,  C09K11/56 ,  C09K11/66 ,  C09K11/67 ,  C09K11/68 ,  C09K11/70 ,  C09K11/74 ,  C09K11/88

FI (10)：

C09K11/08 G ,  C01G11/02 ,  C09K11/54 ,  C09K11/56 ,  C09K11/66 ,  C09K11/67 ,  C09K11/68 ,  C09K11/70 ,  C09K11/74 ,  C09K11/88

F-Term (25)：

2G043CA06 ,  2G043DA02 ,  2G043EA01 ,  2G043GA07 ,  4G047BA01 ,  4G047BB05 ,  4G047BC02 ,  4G047BD03 ,  4H001CA02 ,  4H001CC01 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA15 ,  4H001XA16 ,  4H001XA22 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA33 ,  4H001XA34 ,  4H001XA48 ,  4H001XA49 ,  4H001XA52 ,  4H001XA74 ,  4H001XA80 ,  4H001XA82