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J-GLOBAL ID：200903046828682909
窒化アルミニウム単結晶の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河備 健二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002360168
Publication number (International publication number)：2004189549
Application date： Dec. 12, 2002
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：
【課題】紫外発光用の半導体レーザや発光ダイオードに適した大型の窒化アルミニウム単結晶基板を安価な装置でかつ効率良く製造しうる窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供。【解決手段】ルツボ(A)内に収容したアルミニウム原料(B)を加熱溶融して得られるアルミニウム融液の表面に、種結晶からなる基板(C)を接触させた後、基板(C)を冷却し、基板(C)上に窒化アルミニウム単結晶を成長させながら引き上げて窒化アルミニウム単結晶を製造する方法において、窒化アルミニウム焼結体製のルツボ(A)を用いるとともに、ルツボ(A)を窒素を主成分とする不活性ガス雰囲気下、1100°C以上の温度に加熱し、溶融したアルミニウム融液にルツボ(A)から窒素を溶出させることにより、基板(C)上に窒化アルミニウム単結晶を成長させることを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の製造方法によって提供。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ルツボ(A)内に収容したアルミニウム原料(B)を加熱溶融して得られるアルミニウム融液の表面に、種結晶からなる基板(C)を接触させた後、基板(C)を冷却し、基板(C)上に窒化アルミニウム単結晶を成長させながら引き上げて窒化アルミニウム単結晶を製造する方法において、
窒化アルミニウム焼結体製のルツボ(A)を用いるとともに、ルツボ(A)を窒素を主成分とする不活性ガス雰囲気下、1100°C以上の温度に加熱し、溶融したアルミニウム融液にルツボ(A)から窒素を溶出させることにより、基板(C)上に窒化アルミニウム単結晶を成長させることを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (15)：
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077BE13
, 4G077CG01
, 4G077CG07
, 4G077EA02
, 4G077EA06
, 4G077ED06
, 4G077FJ03
, 4G077HA12
, 4G077QA11
, 4G077QA52
, 4G077QA54
, 4G077QA71
, 4G077QA81
