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J-GLOBAL ID：200903046833199540
半導体ステムとその製造方法及び光半導体モジュール
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 正緒
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997305658
Publication number (International publication number)：1999145350
Application date： Nov. 07, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：
【要約】【課題】 放熱特性に優れ、ダイボンド時間の短縮やサブマウントの省略が可能であって、従来よりも低価格な半導体ステム、及びこの半導体ステムを使用する光出力の高い光半導体モジュールを提供する。【解決手段】 半導体ステムは、金属質材料と高熱伝導率のセラミックスとの複合材からなる基部12aと、少なくともその片側表面に固着された金属カバー12bとで構成されるベース部材11を備え、このベース部材11の貫通孔に金属リード5が低融点ガラス6で接合されている。この半導体ステムにLD素子などを搭載し、更にはキャップを接合して光半導体モジュールとする。
Claim (excerpt)：
半導体素子の搭載部を有するベース部材が、高熱伝導率のセラミックスと金属質材料との複合材からなる基部と、該基部の少なくとも片側表面を覆う金属カバーとからなり、該ベース部材の貫通孔に低融点ガラスで接合された金属リードを備えることを特徴とする半導体ステム。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 23/36 C
, H01L 23/36 M
