Pat

J-GLOBAL ID：200903046839471160

結晶基板

Inventor： 柴田 真佐知 ,  大井 義夫
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000240383
Publication number (International publication number)：2002053398
Application date： Aug. 03, 2000
Publication date： Feb. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 大口径で安価、かつ放熱特性のよい結晶基板を提供する。【解決手段】 表面が[111]軸方向に配向した多結晶SiC基板2を用い、その多結晶SiC基板の上にIII 族窒化物単結晶1を成長させることにより、大口径で安価、かつ放熱特性のよい結晶基板が得られる。

Claim (excerpt)：

一軸に配向した多結晶炭化珪素基板の少なくとも一方の面に、炭化珪素以外の単結晶膜を成長させたことを特徴とする結晶基板。

IPC (5)：

C30B 29/38 ,  C30B 19/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208 ,  H01L 33/00

FI (5)：

C30B 29/38 D ,  C30B 19/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208 S ,  H01L 33/00 C

F-Term (55)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077CG01 ,  4G077DB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077QA02 ,  4G077QA11 ,  4G077QA71 ,  4G077QA79 ,  5F041AA04 ,  5F041AA33 ,  5F041AA44 ,  5F041CA22 ,  5F041CA24 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB10 ,  5F045AB11 ,  5F045AB12 ,  5F045AB14 ,  5F045AB22 ,  5F045AB23 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC18 ,  5F045AD10 ,  5F045AD15 ,  5F045AE29 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB08 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045EB15 ,  5F053AA01 ,  5F053DD03 ,  5F053DD07 ,  5F053DD11 ,  5F053DD14 ,  5F053DD16 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL02 ,  5F053LL03 ,  5F053PP01 ,  5F053RR13