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J-GLOBAL ID：200903046864573849
全反射蛍光X線分析装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小倉 亘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997054690
Publication number (International publication number)：1998253555
Application date： Mar. 10, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：
【要約】【課題】 大口径の半導体ウェーハに適した全反射蛍光X線分析装置を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハの表面にX線を入射するX線源1と、半導体ウェーハを鉛直姿勢で保持する保持具と20、X線照射により半導体ウェーハ7の表面から発生した蛍光X線11を測定する測定器12と、半導体ウェーハ7の表面に対するX線2の入射角θが全反射臨界角以下となるように、保持具20を位置調整する制御駆動機構8とを備えている。半導体ウェーハ7は、エッジ部で保持具20に保持される。【効果】 撓みによる影響がないためX線2の入射角θが一定になり、信頼性の高い測定結果が得られる。
Claim (excerpt)：
半導体ウェーハの表面にX線を入射するX線源と、半導体ウェーハを鉛直姿勢で保持する保持具と、X線照射により半導体ウェーハの表面から発生した蛍光X線を測定する測定器と、半導体ウェーハの表面に対するX線の入射角が全反射臨界角以下となるように、保持具を位置調整する制御駆動機構とを備え、半導体ウェーハはエッジ部で保持具に保持される全反射蛍光X線分析装置。
IPC (2)：
FI (2)：
G01N 23/223
, H01L 21/66 L
