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J-GLOBAL ID：200903046868061362

半導体レーザ

Inventor： 関 俊司 ,  横山 清行
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 高山 敏夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993103801
Publication number (International publication number)：1994296061
Application date： Apr. 07, 1993
Publication date： Oct. 21, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 結晶格子欠陥が発生しない程度の歪量で軽い正孔と重い正孔のエネルギ準位を分離し、高性能の半導体レーザを提供する。【構成】 歪を有する活性層2と無歪の障壁層1との間に、歪を有する障壁調整層3を形成した半導体レーザ。

Claim (excerpt)：

歪を有する活性層と無歪の障壁層との間に、歪を有する障壁調整層を形成することを特徴とする半導体レーザ。