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J-GLOBAL ID：200903046873563660

光特性測定用溝の形成方法

Inventor： 青柳 利隆 ,  鴫原 君男
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992225121
Publication number (International publication number)：1994053552
Application date： Jul. 30, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 LDのオンウエハテスト用溝を1回のエッチング工程にて形成する方法を提供する。【構成】 ドライエッチングに対して耐性のある金属マスク3と、それほど耐性のないレジストマスク8を用いてエッチング窓9を形成し、これにイオン種4を垂直方向に打ち込むドライエッチングを行うと、一度に、LD光出射端面6とLD光反射面51を有する溝21が形成される。

Claim (excerpt)：

光導波路または発光領域が形成されたウエハの光特性を測定するための溝を、該ウエハの一部に形成する方法において、ウエハ表面に、ドライエッチングに対して耐性の強い第1のマスク材を形成する工程と、上記第1のマスク材よりもドライエッチング耐性の低く、かつ上記第1のマスク材と近接する端部から徐々にその膜厚が増大する形状を有する第2のマスク材を形成する工程と、上記第1及び第2のマスク材を用いてウエハに垂直方向にエッチング種を打ち込む異方性エッチングを施して溝を形成する工程とを含むことを特徴とする光特性測定用溝の形成方法。

IPC (5)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/15 ,  H01S 3/18