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J-GLOBAL ID：200903046877841796
ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊藤 洋二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996072487
Publication number (International publication number)：1997260689
Application date： Mar. 27, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：
【要約】【課題】 ショットキー電極周囲での電界集中を防ぐためにショットキー電極周囲に空隙を形成し、その空隙に絶縁物を充填することなくショットキー電極への配線を形成可能とする。【解決手段】 GaAs層13上にショットキー電極14を設けてなるショットキーバリアダイオードにおいて、ショットキー電極14の周囲のGaAs層13に空隙19を形成し、この空隙19の上に空隙19を跨ぐ橋18を形成し、この橋18の上にショットキー電極14への金属配線17を形成した。
Claim (excerpt)：
半導体(13)上にショットキー電極(14)を設けてなるショットキーバリアダイオードにおいて、前記ショットキー電極の周囲の前記半導体に空隙(19)が形成され、前記空隙の上に前記空隙を跨ぐ橋(18)が形成され、前記橋の上に前記ショットキー電極への配線(17)が形成されていることを特徴とするショットキーバリアダイオード。
FI (3)：
H01L 29/48 F
, H01L 29/48 P
, H01L 29/48 H
