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J-GLOBAL ID:200903046883365327

誘導結合プラズマ装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山口 巖
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996171920
Publication number (International publication number):1998022096
Application date: Jul. 02, 1996
Publication date: Jan. 23, 1998
Summary:
【要約】【課題】プラズマ生成電界の歪みが抑制され、絶縁管等の構成部品の損傷の恐れがなく、高効率で、高出力の運転が可能なものを得る。【解決手段】複数の単巻きの高周波誘導コイル2A,2B,2Cを、円筒状の電気絶縁管1に同軸に、かつ電流ループ面を電気絶縁管1の横断面に平行にして巻装し、電気絶縁管1の一端よりプラズマガスを導入し、高周波電源3で得られた高周波電流を高周波電流分配器6で分配し、インピーダンス調整器4A,4B,4Cで調整して最適化し、電流輸送導体5により、高周波誘導コイル2A,2B,2Cに供給する。
Claim (excerpt):
高周波誘導コイルを巻装した電気絶縁管の内部にプラズマガスを導入し、高周波誘導コイルに高周波電流を通電して前記ガスをプラズマ化して用いる誘導結合プラズマ装置において、高周波誘導コイルが複数の単巻きコイルからなり、かつこれらの単巻きコイルにそれぞれ独立に高周波電流を通電する高周波電流通電手段を備えてなることを特徴とする誘導結合プラズマ装置。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
  • 熱プラズマ装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-246031   Applicant:日本電子株式会社
  • プラズマエッチング方法及びその装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-248583   Applicant:国際電気株式会社, 堀池靖浩
  • スパッタリング方法及びスパッタリング装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-194952   Applicant:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社, 堀池靖浩
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