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J-GLOBAL ID：200903046902035171

磁気抵抗効果素子及びその磁気抵抗効果素子の製造方法、並びにこれを用いた薄膜磁気ヘッド装置

Inventor： 中田 裕之
Applicant, Patent owner： アルプス電気株式会社
Agent (1)： 三浦 邦夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002058305
Publication number (International publication number)：2002367125
Application date： Mar. 05, 2002
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【目的】 磁気記録情報を再生する際の減磁または消磁を防止する。【構成】 ハードバイアス層を磁気抵抗効果を発揮する多層膜よりも記録媒体対向面からハイト方向に後退させた薄膜磁気ヘッド。

Claim (excerpt)：

磁気抵抗効果を発揮する多層膜と、この多層膜を挟む両側領域に設けたハードバイアス層と、このハードバイアス層の上に積層させた電極層と備えた磁気抵抗効果素子であって、上記ハードバイアス層を上記多層膜よりも記録媒体対向面からハイト方向に後退させたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (5)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 B ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

F-Term (11)：

2G017AC01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA08 ,  5D034BA12 ,  5D034BA17 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-125311
  
• 特開昭64-001112
  
• 磁気抵抗効果型磁気ヘツドおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-224346   Applicant：株式会社日立製作所