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J-GLOBAL ID：200903046903058000

半導体装置の製造方法

Inventor： 角原 由美
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992083969
Publication number (International publication number)：1993291179
Application date： Apr. 06, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 気相成長法により窒化チタン膜をコンタクト孔へ形成する際において、コンタクト孔底のチタンシリサイドから窒化チタン中へのシリコン原子の拡散を防止する。【構成】 コンタクト孔の底に形成したチタンシリサイド5の上に、窒化チタン7を形成し、続いて気相成長法により窒化チタン8を成長させる。窒化チタン7により、チタンシリサイド5から窒化チタン8へのシリコン原子の拡散が防止される。

Claim (excerpt)：

シリコン半導体基板上に形成した絶縁膜に拡散層領域に到達するコンタクト孔を形成する工程と、チタンシリサイドを前記コンタクト孔底を含む領域に形成する工程と、前記チタンシリサイド上に窒化チタンを形成する工程と、前記窒化チタン上に気相成長法により窒化チタンを形成する工程とを有してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-160328
  
• 特開昭62-098723
  
• 特開平3-250628