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J-GLOBAL ID：200903046913156000

空間光変調素子及びその製造方法

Inventor： 滝本 昭雄 ,  朝山 純子 ,  秋山 浩二 ,  藏富 靖規 ,  小川 久仁
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991344521
Publication number (International publication number)：1993173171
Application date： Dec. 26, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 少なくとも光導電層、反射層、強誘電性液晶層及び強誘電性液晶を配向させる配向膜を備えた空間光変調素子であって、光導電層において、整流性を有する光導電体が画素単位に形成されていることにより、光キャリアの面内方向拡散及び各接合界面でのドリフトを防止して、高解像度の空間光変調素子を得る。【構成】 透明絶縁性基板11の上に遮光膜 及び透明導電性電極12が形成され、画素領域の光導電層13はアモルファスシリコン半導体のpin型ダイオードの構造で積層されるが、画素と画素の間はi層のみ又はp/i型の構造となる。その上に反射層14が画素単位に分割されて形成される。

Claim (excerpt)：

少なくとも光導電層、反射層、強誘電性液晶層及び前記強誘電性液晶を配向させる配向膜を備えた空間光変調素子であって、前記光導電層において、整流性を有する光導電体が画素単位に形成されていることを特徴とする空間光変調素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-169120
  
• 特開平3-192332
  
• 特開平4-356023