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J-GLOBAL ID：200903046920349965

縦型薄膜半導体装置

Inventor： 荒井 三千男 ,  小堀 勇 ,  高山 一郎
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社 ,  株式会社半導体エネルギー研究所
Agent (1)： 山本 恵一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994105022
Publication number (International publication number)：1995297406
Application date： Apr. 21, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 素子寸法を大きくすることなく大電流を流すことが可能な縦型薄膜半導体装置を提供する。【構成】 基板面と垂直方向にドレイン電極11、12及びソース電極14が積層されてなる縦型TFT装置である。特に、そのドレイン電極11、12が基板10の面に接して形成されており、このドレイン電極11、12の面積がソース電極14の面積より広くなっている。

Claim (excerpt)：

基板面と垂直方向にドレイン電極及びソース電極が積層されてなる縦型薄膜半導体装置であって、前記ドレイン電極が前記基板面に接して形成されており、該ドレイン電極が前記ソース電極より広い面積を有していることを特徴とする縦型薄膜半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 29/78 311 X ,  H01L 29/78 321 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-192766
  
• 特開昭63-296378
  
• 特開昭56-017071