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J-GLOBAL ID：200903046934138754
半導体素子解析装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大西 孝治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992076118
Publication number (International publication number)：1993240927
Application date： Feb. 26, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：
【要約】【目的】 SEM画像の任意の箇所を選択すると、他の画像がスピーディーに切り換わり、しかも測定された動作電圧波形等が正常か否かをデバイス設計者等の熟練者でなくとも容易に判断できるようにする。【構成】 動作が正常な基準用素子と解析対象となる解析用素子とにテストパターンを供給するパターン発生部200 と、2つの半導体素子のSEM画像を得ることができる2つの電子ビームテスタ100A、100Bと、SEM画像を表示するモニタ部300 と、2つの電子ビームテスタ100A、100Bが2つの半導体素子の同等の箇所を表示するようにコントロールするコントロール部400 とを有している。
Claim (excerpt)：
2つの半導体素子にテストパターンを供給するパターン発生部と、前記半導体素子のSEM画像を得ることができる2つの電子ビームテスタと、前記SEM画像を表示するモニタ部と、前記2つの電子ビームテスタが2つの半導体素子の同等の箇所を表示するようにコントロールするコントロール部とを具備したことを特徴とする半導体素子解析装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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