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J-GLOBAL ID：200903046944341523
電圧駆動型半導体装置及びそれを用いた電力変換装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994253193
Publication number (International publication number)：1996116056
Application date： Oct. 19, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：
【要約】【目的】高耐圧のMOSFET及びIGBTのオン抵抗を大幅に低減する。【構成】キャリア注入層を有する高耐圧MOSFETまたはIGBTにおいて、ソース及びボディに拡散してくる注入キャリアの拡散抵抗を増大させる手段を備える。【効果】少数キャリアの拡散抵抗を増大させることによりドレイン領域に少数キャリアを溜め、多数キャリアと少数キャリアをプラズマ状態に至らしめ、伝導度変調を促進させる効果によりオン抵抗を低減させる。
Claim (excerpt)：
表面側における複数の凹部及び凸部と、第1導電型の第1半導体層と、第1半導体層に隣接し、凸部に延びる、第2導電型の第2半導体層と、凸部における第1導電型の第3半導体層と、第3半導体層に設ける第2導電型の第4半導体層と、を有し、第2半導体層に接続する第1主電極と、凸部において、第3及び第4半導体層に接続する第2主電極と、凹部において、絶縁膜を介して設けられる第1制御電極と、第1半導体層に接続する第2制御電極と、を備え、第2主電極を接続しない凸部を有することを特徴とする電圧駆動型半導体装置。
FI (3)：
H01L 29/78 654 B
, H01L 29/78 301 W
, H01L 29/78 655 A
