半導体レーザ素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：亀谷美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998215747
Publication number (International publication number)：2000049412
Application date： Jul. 30, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】広い波長範囲で連続チューニングの可能な半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子100は,均一な格子周期を持つ第1ブラッグ回折格子150aが形成された第1受動導波路110aと,不均一な格子周期を持つ第2ブラッグ回折格子150cが形成された第2受動導波路110cと,第1受動導波路110aと第2受動導波路110cとを接続する活性導波路110bにを備えている。ここで,第2ブラッグ回折格子150cの格子周期は,活性導波路110bから離れるに連れて長くなっている。したがって,第2受動導波路110cでの光P1の反射位置が波長依存性を示し,モード飛びを起こさずに波長チューニングが可能となる。結果として,連続チューニング可能な波長範囲が拡大する。

Claim (excerpt)：

実効的な格子周期が実質的に均一な第1のブラッグ回折格子を有する,第1の反射導波路と;実効的な格子周期が不均一な第2のブラッグ回折格子を有する,第2の反射導波路と;前記第2の反射導波路と前記第1の反射導波路とを相互に接続する活性導波路とを;備えることを特徴とする,半導体レーザ素子。

F-Term (6)：

5F073AA51 , 5F073AA61 , 5F073AA65 , 5F073BA02 , 5F073CA12 , 5F073EA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

波長可変半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-341585 Applicant：日本電気株式会社
波長可変レーザ、波長可変フィルタおよび波長選択検出素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-242034 Applicant：キヤノン株式会社
半導体レーザ装置及びその動作方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-225083 Applicant：沖電気工業株式会社

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