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J-GLOBAL ID：200903046950625533

3極管素子

Inventor： 渕上 伸隆 ,  矢沢 正光
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992033157
Publication number (International publication number)：1993234522
Application date： Feb. 20, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体の針状結晶を用いて3極管素子を作製する場合のデバイス構造を提供する。【構成】エミッタ1を形成した半導体基板10とゲート電極2を形成した半導体基板10′とを貼り合わせて構成する。【効果】エミッタはゲート電極の形成方法に制約されないので、材料や形状を自由に選ぶことができ、最適な設計が行える。

Claim (excerpt)：

エミッタを有する第1の半導体基板とゲート電極を有する第2の半導体基板とで構成する3極管素子において、前記エミッタは前記第1の半導体基板上に設けた半導体、或いは金属の針状結晶からなり、前記ゲート電極は前記第2の半導体基板に設けた空洞の内部、或いは端部に配置した導電体からなることを特徴とする3極管素子。