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J-GLOBAL ID：200903046954627700
被膜形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鴨田 朝雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991317326
Publication number (International publication number)：1993251356
Application date： Nov. 18, 1985
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】接合特性のすぐれた絶縁膜と半導体膜の積層を得る。【構成】絶縁膜と半導体膜を各々CVD法で作製する反応室を、被膜表面が大気に触れないように連接させて、これにより積層を行う。
Claim (excerpt)：
第1反応室で基板上に絶縁層と半導体層の一方をCVD法で形成し、第1反応室で絶縁層または半導体層を形成した基板を第2反応室へ移し、第2反応室を第1反応室から遮断し、第2反応室で絶縁層と半導体層の他方をCVD法で形成することにより、絶縁層と半導体層を積層する被膜形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C23C 16/24
, C23C 16/50
Cited by examiner (5)
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