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J-GLOBAL ID：200903046960839345

InP多結晶の製造方法

Inventor： 佐藤 浩二
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 柿沼 伸司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000352184
Publication number (International publication number)：2002160911
Application date： Nov. 20, 2000
Publication date： Jun. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】生産性が高く、純度の高いInP多結晶の製造方法を提供する。【解決手段】横型ボート法によるInP多結晶の製造方法で、Inを収容する容器に不純物濃度400ppm以下の黒鉛容器を用い、黒鉛容器の移動速度を、20〜50mm/時間の範囲内とし、黒鉛容器の加熱に、高周波誘導加熱を用いる。

Claim (excerpt)：

黒鉛からなる容器(以後、黒鉛容器とする。)に入れたInをリン含有物質と共に1つのアンプル内に封入し、該アンプルを内部に温度分布を有する合成炉内に入れて加熱するとともに、アンプル内の黒鉛容器部分を合成炉内の高温領域を移動させながらInP多結晶を製造するInP多結晶の製造方法。