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J-GLOBAL ID：200903046970479703

窒化ガリウム単結晶薄膜の製造方法

Inventor： 碓井 彰 ,  砂川 晴夫
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996001610
Publication number (International publication number)：1997188598
Application date： Jan. 09, 1996
Publication date： Jul. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 基板-エピタキシャル成長層界面が平坦化され、表面性、結晶性に優れた薄膜が得られる窒化ガリウム単結晶薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 基板結晶としてGaAsを用いる窒化ガリウム単結晶薄膜の気相成長方法において基板上にGaを含む塩化物あるいは、有機金属のみをキャリアガスとともに供給し、Ga原子層を基板表面上に形成したのち窒化ガリウム単結晶膜を成長させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板結晶としてGaAsを用いる窒化ガリウム単結晶薄膜の気相成長方法において、基板上にGaを含む塩化物あるいは、有機金属のみをキャリアガスとともに供給し、Ga原子層を基板表面上に形成したのち、窒化ガリウム単結晶膜を成長させることを特徴とする窒化ガリウム単結晶薄膜の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (4)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18