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J-GLOBAL ID：200903046973222126

表示装置及びその製造方法

Inventor： 松本 友孝 ,  長広 紀雄 ,  甫立 真理
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993222579
Publication number (International publication number)：1995077705
Application date： Sep. 07, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】同一の基板上に、画素用TFT及び駆動回路用TFTとしてa-SiTFT及びp-Si TFTを容易に作り分け、画素用TFTのオフ電流の低減と駆動回路用TFTの高速化を同時に達成する駆動回路一体型のアクティブマトリクス基板を有する表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】A領域では、共通の透明絶縁性基板10上に直接にa-Si活性層14aが形成され、B領域では、共通の透明絶縁性基板10上にSiと格子定数が近く(111)方向に強く配向したZnS膜12を介してp-Si活性層14bが形成され、これらの表面のn+ 型ソース領域20a、20bとn+ 型ドレイン領域22a、22bとに挟まれたa-Si活性層14a及びp-Si活性層14b上にゲート絶縁膜16a、16bを介してゲート電極18a、18bが形成され、それぞれ画素用TFT32a及び駆動回路用TFT32bを構成している。

Claim (excerpt)：

各画素に設けられたスイッチング用の薄膜トランジスタと走査線及び信号線に接続された駆動回路用の薄膜トランジスタとが同一の絶縁基板上に形成されているアクティブマトリクス基板を有し、前記スイッチング用の薄膜トランジスタが、前記絶縁基板上に形成されたアモルファスシリコン膜を活性層とするアモルファスシリコン薄膜トランジスタであり、前記駆動回路用の薄膜トランジスタが、前記絶縁基板上に結晶性高抵抗膜を介して形成された多結晶シリコン膜を活性層とする多結晶シリコン薄膜トランジスタであることを特徴とする表示装置。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786

FI (2)：

H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 X