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J-GLOBAL ID：200903046974665714
軟磁性薄膜およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992249671
Publication number (International publication number)：1994104118
Application date： Sep. 18, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 鉄単結晶軟磁性薄膜において、軟磁気特性を向上させ、飽和磁束密度を大きくする。【構成】 サファイヤ単結晶基板1上にM=V、Nb、Mo、Ta、WのいずれかあるいはMより選ばれた少なくとも2種類の金属より成る体心立方晶の合金、またはFeあるいはCrとMより成る体心立方晶の合金のエピタキシャルバッファー層2上に、あるいは以上のエピタキシャルバッファー層を下層2’とし、Crを上層2”とした2層構造のバッファー層上に、単結晶Fe膜3をエピタキシャル成長させる。Fe単結晶膜の成長にあたっては、99.995%以上の純度を有するFe母材を用い、10- 8 トールより圧力の低い超高真空下でで行う。
Claim (excerpt)：
サファイヤ単結晶基板上にエピタキシャル成長させたバッファー層上にエピタキシャル成長させた鉄単結晶膜であってその成長面が(001)、(110)、(111)、(112)であることを特徴とする軟磁性薄膜。
IPC (6)：
H01F 10/14
, C22C 38/00 303
, G11B 5/127
, G11B 5/31
, H01F 10/28
, H01F 41/20
Cited by examiner (6)
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