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J-GLOBAL ID：200903046979458253

ビーム治療装置

Inventor： 宮岡 丈治 ,  吉原 幸夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 猪股 祥晃
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994069410
Publication number (International publication number)：1995275381
Application date： Apr. 07, 1994
Publication date： Oct. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、シンクロトロンから出射されるビームを治療系で必要とするビームになるように制御すると共に、治療系の構成を簡単化・小型化したビーム治療装置を提供することにある。【構成】本発明は、粒子ビームを癌等の被照射部に照射する治療系から構成されるビーム治療装置において、シンクロトロンから出射された時間変化するビームのエネルギーを一度最高エネルギーまで加速した後ビームのエネルギーを下げながら治療に有効なエネルギーのビームを出射するように制御する第1制御手段と、前記シンクロトロンから出射された時間変化するビームのエネルギーに相当する磁場に前記ビーム輸送系の電磁石の励磁量を制御する第2制御手段を備えているので、治療系の構成を従来に比べ簡単化・小型化することができ、かつ治療準備のための労力を大幅に削減できる。

Claim (excerpt)：

中性子,陽子,ヘリウム,アルゴン等の粒子をイオン化し、加速する入射器と、前記入射器で生成された粒子ビームを加速するシンクロトロンと、前記シンクロトロンから出射された粒子ビームを被照射部まで誘導するビーム輸送系と、前記粒子ビームを癌等の被照射部に照射する治療系から構成されるビーム治療装置において、前記シンクロトロンから出射された時間変化するビームのエネルギーを一度最高エネルギーまで加速した後ビームのエネルギーを下げながら治療に有効なエネルギーのビームを出射するように制御する第1制御手段と、前記シンクロトロンから出射された時間変化するビームのエネルギーに相当する磁場に前記ビーム輸送系の電磁石の励磁量を制御する第2制御手段を備えたことを特徴とするビーム治療装置。