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J-GLOBAL ID：200903046979654257

光半導体装置

Inventor： 田淵 晴彦
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992332851
Publication number (International publication number)：1994181366
Application date： Dec. 14, 1992
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 レーザ光の変調器を構成する光半導体装置に関し、光変調層で発生する光信号の波長チャーピングを低減し得る新規な構造の変調器を有する光半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 pn接合の空乏層が形成される領域あるいはpin接合のi層の部分で光導波路を構成し、前記接合に逆バイアス電圧を印加する手段を有し、所定波長λopの入射光に対する変調機能を有する光半導体装置であって、光導波路が、逆バイアス印加時に所定波長λopに対する電気光学効果による屈折率変化の係数α(=Δn/Δg、ただしΔnは逆バイアス電圧印加による屈折率の変化、Δgは逆バイアス電圧印加による利得の変化)が正となる半導体材料の層(i+)と前記係数αが負となる半導体材料の層(i-)との積層を含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

pn接合の空乏層が形成される領域あるいはpin接合のi層の部分で光導波路を構成し、前記接合に逆バイアス電圧を印加する手段を有し、所定波長λopの入射光に対する変調機能を有する光半導体装置であって、光導波路が、逆バイアス印加時に所定波長λopに対する電気光学効果による屈折率変化の係数α(=Δn/Δg、ただしΔnは逆バイアス電圧印加による屈折率の変化、Δgは逆バイアス電圧印加による利得の変化)が正となる半導体材料の層(i+)と前記係数αが負となる半導体材料の層(i-)との積層を含むことを特徴とする光半導体装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/015