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J-GLOBAL ID：200903046986767130
気相成長方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992075009
Publication number (International publication number)：1993279856
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】層間絶縁膜の膜内応力を低減し、膜中の水分を減少させることにより、膜の機械的強度を向上させることにより、層間絶縁膜に発生するクラックを抑制する。【構成】オゾン発生器3により発生したオゾンと、10〜50°Cに保持したテトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)5中にN2 ガスをバブリングすることにより発生したTMCTS蒸気とを、ヒーター8とディスパージョンヘッド6とからなるリアクターに導いて、シリコンウェハー7上にSiO2 膜を形成する。
Claim (excerpt)：
有機シランを主体とする原料ガスとオゾンを含む酸化ガスとによる酸化反応により、半導体基板表面に酸化シリコン系と絶縁膜を形成させる気相成長方法において、該原料ガス中に、シクロテトラシロキサン誘導体((OSi-Ri1Ri2)4 :Ri1,Ri2(i=1,2,3,4)は任意の基)を含むことを特徴とする気相成長方法。
IPC (4)：
C23C 16/40
, C30B 29/18
, H01L 21/205
, H01L 21/316
