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J-GLOBAL ID：200903046992219845
ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランク
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
阿仁屋 節雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998361548
Publication number (International publication number)：1999249283
Application date： Dec. 18, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：
【要約】【課題】 遮光膜を低反射化することができ、転写特性を大幅に向上できるハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランクを提供する。【解決手段】 透明基板1上にMoSiNの半透光膜2を形成し、透光部6と半透光膜2との境界近傍における光の相殺作用に実質的に寄与しない半透光膜2上に、反射防止機能を有する遮光膜5を形成する。遮光膜5は、半透光膜2側から順次積層されたCrN膜3とCrON膜4とからなる。遮光膜5は、転写領域I以外の非転写領域の半透光膜2上にも形成する。遮光膜5を設けると、本来不要な露光光の透過を防止でき、しかも、低反射の遮光膜5なので、露光時のウエハや結像光学系からの反射光を殆ど再反射することがなく、転写特性を大幅に向上できる。
Claim (excerpt)：
微細パターン転写用のマスクであって、透明基板上の転写領域に形成するマスクパターンが、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透過部とを有し、この半透光部を通過する光の位相をシフトさせることにより、前記透光部と半透光部との境界近傍を通過した光の相殺作用を利用して境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクであって、少なくともマスクパターン転写領域内に形成された半透光部の光の相殺作用に実質的に寄与しない部分に遮光膜を設けたハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、この遮光膜を、その表面側から透明基板側に向かってエッチングレートが段階的に又は連続的に速くなるとともに反射防止機能を有するように、厚さ方向において異なる金属材料で構成したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
IPC (2)：
FI (3)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
