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J-GLOBAL ID：200903046998440896

金属配線形成方法および金属配線形成装置

Inventor： 谷村 純二 ,  黒木 洋志 ,  和田 理 ,  黒川 博志
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998305101
Publication number (International publication number)：2000133652
Application date： Oct. 27, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】 下地基板へダメージを与えることなく、短時間で、1μm幅以下の低電気抵抗の配線を、マスクレスにより形成することができる金属配線形成方法を得る。【解決手段】 金属配線形成方法は、有機金属ガスを基板の金属配線を形成したい場所を含む領域に供給し、さらにこの領域に、レーザ光、UV光またはX線を照射しながら、配線を形成したい場所に、電子線を照射し走査して上記有機金属ガスを分解し金属として配線を形成する方法である。

Claim (excerpt)：

有機金属ガスを基板の被金属配線形成領域に供給し、上記被金属配線形成領域に、レーザ光、UV光またはX線を照射しながら、集束した電子線を照射して上記有機金属ガスを分解して金属とし、配線を形成する金属配線形成方法。

IPC (6)：

H01L 21/3205 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/263 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/285

FI (6)：

H01L 21/88 B ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/263 E ,  H01L 21/268 E ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/26 E

F-Term (15)：

4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BB14 ,  4K030FA07 ,  4K030FA08 ,  4K030FA12 ,  4K030FA14 ,  4K030LA15 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD48 ,  4M104HH20 ,  5F033PP02 ,  5F033PP11 ,  5F033PP31