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J-GLOBAL ID：200903046999072939

薄膜圧電型バイモルフ素子及びその応用

Inventor： 藤井 覚 ,  神野 伊策 ,  高山 良一 ,  鎌田 健
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 大前 要
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999142058
Publication number (International publication number)：2000332313
Application date： May. 21, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 振動板が不必要、特性のバラツキが小さく、パターンに沿って微細化が可能しかも耐久性、信頼性等の優れた薄膜圧電型バイモルフ素子とこれを使用した各種機器並びにそれらの製造技術を提供する。【解決手段】 1)金属薄板の両面に第1電極膜、第1及び第2の圧電体薄膜、第2電極膜をRFスパッタ法等により直接形成する。2)この際、圧電材料のZr/Ti比、成膜基板温度等を制御して、圧電体薄膜の分極方向、層方向の電圧特性等を制御する。

Claim (excerpt)：

金属薄板と、該金属薄板の両面に、分極制御が可能な非貼り付け法により互いに分極方向が反転して形成された圧電体部と、該2つの圧電体部のそれぞれの反金属薄板側に形成された電極膜とを有していることを特徴とする薄膜圧電型バイモルフ素子。

IPC (6)：

H01L 41/09 ,  B06B 1/06 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16 ,  H02N 2/00

FI (6)：

H01L 41/08 M ,  B06B 1/06 A ,  H02N 2/00 B ,  B41J 3/04 103 A ,  B41J 3/04 103 H ,  H01L 41/08 U

F-Term (18)：

2C057AF23 ,  2C057AF51 ,  2C057AF65 ,  2C057AF93 ,  2C057AG44 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP25 ,  2C057AP52 ,  2C057BA03 ,  2C057BA14 ,  5D107AA09 ,  5D107AA13 ,  5D107BB06 ,  5D107BB09 ,  5D107CC03 ,  5D107CC10 ,  5D107CC12