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J-GLOBAL ID：200903047002020523

成膜方法

Inventor： 山▲崎▼ 英亮 ,  松澤 興明 ,  河野 有美子
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003146957
Publication number (International publication number)：2004346401
Application date： May. 23, 2003
Publication date： Dec. 09, 2004
Summary：

【課題】微細パターンに形成する金属膜のカバレッジを改善する。【解決手段】被処理基板Wf上に金属膜を成膜する成膜方法であって、前記被処理基板Wf上に金属カルボニル化合物ガスを供給する第1の工程と、前記被処理基板上に配位化合物を形成する有機化合物ガスを供給する第2の工程とを含むことを特徴とする成膜方法。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

被処理基板に金属膜を成膜する成膜方法であって、 前記被処理基板上に金属カルボニル化合物ガスを供給する第1の工程と、 前記被処理基板上に配位化合物を形成する有機化合物ガスを供給する第2の工程とを含むことを特徴とする成膜方法。

IPC (4)：

C23C16/16 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

FI (4)：

C23C16/16 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 C ,  H01L21/88 R

F-Term (43)：

4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA20 ,  4K030EA03 ,  4K030EA08 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104FF17 ,  4M104FF22 ,  4M104HH13 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH17 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK15 ,  5F033KK17 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP01 ,  5F033PP06 ,  5F033XX02