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J-GLOBAL ID：200903047011668749

エッチング剤及び電子装置の製造方法

Inventor： 関 斎 ,  福井 洋文 ,  宮澤 聡 ,  岩崎 千里 ,  笠間 泰彦 ,  大見 忠弘 ,  前野 又五郎 ,  菊山 裕久 ,  高野 順 ,  宮下 雅之 ,  薮根 辰弘
Applicant, Patent owner： 株式会社フロンテック ,  橋本化成株式会社 ,  大見 忠弘
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994063789
Publication number (International publication number)：1995268657
Application date： Mar. 31, 1994
Publication date： Oct. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、導電体層及び半導体層等からなる多層構造の微細パターンを1種の液で連続して形成できるエッチング剤を提供することを目的とする。さらに、製造工程を短縮化して、且つ高い歩留まりで電子装置を製造できる電子装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明のエッチング剤は、溶液中に、フッ化水素酸及び一般式(XOn)p-(但し、Xはハロゲン元素、nは3、4、または6、pは1、2または3)で示されるハロオキソ酸イオンをそれぞれ0.05〜0.5mol/l及び0.02mol/l以上、含むことを特徴とする。また、溶液中に、フッ化水素酸と、一般式(XOn)p-(但し、Xはハロゲン元素、nは3、4、または6、pは1、2または3)で示されるハロオキソ酸イオンと、ハロゲン析出抑制剤と、を含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

溶液中に、フッ化水素酸及び一般式(XOn)p-(但し、Xはハロゲン元素、nは3、4または6、pは1、2または3)で示されるハロオキソ酸イオンをそれぞれ0.05〜0.5mol/l及び0.01mol/l以上、含むことを特徴とするエッチング剤。

IPC (4)：

C23F 1/16 ,  H01L 21/308 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• エッチング剤,部材表面のエッチング処理方法,電子部品の製造方法,洗浄剤、部材の洗浄処理方法,器具の洗浄処理方法および機器の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-285338   Applicant：アルプス電気株式会社