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J-GLOBAL ID：200903047011709259

半導体発光素子

Inventor： 上村 信行 ,  長谷川 義晃 ,  石橋 明彦 ,  原 義博 ,  木戸口 勲 ,  粂 雅博 ,  伴 雄三郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997124240
Publication number (International publication number)：1998321942
Application date： May. 14, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 窒素を含有するIII -V族化合物を用いた半導体発光素子において、発光特性を向上し動作電圧を低減できるようにする。【解決手段】 面方位が(0001)のサファイアよりなる基板11上には、上部に段差部を有するn型GaN層13が形成されている。n型GaN層13の上における段差部の上段側には、アンドープGaNよりなる第1のガイド層15と、活性層16bを含む多重量子井戸層16と、アンドープGaNよりなる第2のガイド層17と、p型不純物であるMgが活性層16b側の領域へ拡散することを抑制する拡散抑制層18と、p型Al0.1 Ga0.9 Nよりなるp型クラッド層19と、p型GaNよりなるp型コンタクト層20と、Niよりなる第1の金属膜22a及び該第1の金属膜22aの上にAuよりなる第2の金属膜22bが積層されてなる陽電極22とが順次形成されている。

Claim (excerpt)：

基板上に形成され、窒素を含むIII -V族化合物よりなる第1導電型の第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層の上に形成され、窒素を含むIII -V族化合物よりなる活性層と、前記活性層の上側に形成され、窒素を含むIII -V族化合物よりなる第2導電型の第2のクラッド層とを備えた半導体発光素子において、前記活性層と前記第2のクラッド層との間に形成されており、前記第2のクラッド層の第2導電型の不純物が前記活性層側の領域へ拡散することを抑制するAlNを含む拡散抑制層を備えていることを特徴とする半導体発光素子。