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J-GLOBAL ID：200903047015939887

半導体装置

Inventor： 田口 実
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992071404
Publication number (International publication number)：1993275480
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 インダクタンスの性能低下、モールドストレスによる特性変動及び信頼性レベルの低下が防止できることを目的とする。【構成】 ICチップ1の表面に形成されたメタル配線2とICチップ1の裏面に形成されたボンディングパッド3とをICチップ1を厚さ方向に貫通する貫通孔1aを介して接続し、ICチップ1の周端部にガードリング4を形成し、ガードリング4上にICチップ1の表面を封止するメタル5を接着した。

Claim (excerpt)：

ICチップの表面に形成されたメタル配線と前記ICチップの裏面に形成されたボンディングパッドとを前記ICチップを厚さ方向に貫通する貫通孔を介して接続し、前記ICチップの周端部にガードリングを形成し、前記ガードリング上に前記ICチップの表面を封止するメタルを接着し、前記ICチップをリ-ドフレ-ムにマウントすると共に、前記ボンディングパッドと前記リ-ドフレームとをボンディングワイヤにより接続し、前記ICチップを樹脂封止したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/28 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812