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J-GLOBAL ID：200903047017200943

スピン依存トンネリング効果を読取りヘッド内に提供する方法及び装置

Inventor： リエン-チャング・ワング ,  チ-フアング・ライ ,  タイ・ミン ,  ズペイ・シ ,  ビリー・ダブリュ.・クルー・ジュニア
Applicant, Patent owner： リード-ライト コーポレーション
Agent (1)： 五十嵐 孝雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999290197
Publication number (International publication number)：2000123325
Application date： Oct. 12, 1999
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：

【要約】【解決手段】 SDT読取りセンサは、絶縁層によって分離された第1強磁性体(FM)層及び第2FM層を有する。第1FM層及び第2FM層は、互いに実質的に電気的に分離されている。具体的には、SDT読取りセンサの側壁は、第1FM層及び第2FM層の間の導電路を実質的に含んでいない。更に、エア・ベアリング面に実質的に平行に延びる第2FM層の表面は、エア・ベアリング面から後退している。SDT読取りセンサの製造方法は、第1FM材料層を堆積させる工程と、中間絶縁材料層を第1FM材料層上へ堆積させる工程と、第2FM材料層を中間絶縁材料層上へ堆積させる工程と、を含む。第2FM材料層及び中間絶縁材料層をエッチングする。このエッチングは第1FM材料層をエッチングする前に停止する。

Claim (excerpt)：

3重層磁気抵抗効果センサであって、第1の幅によって画定された第1境界面を有する第1アクティブ層と、前記第1アクティブ層から実質的に電気的に分離された第2アクティブ層であって、前記第1の幅より小さい第2の幅によって画定された第2境界面を有し、前記第1アクティブ層から実質的に電気的に分離されている第2アクティブ層と、前記第1アクティブ層及び第2アクティブ層の間に位置する中間層であって、前記第1境界面に近接し、前記第1の幅と実質的に等しい第3の幅によって画定された第3境界面と、前記第2境界面に近接し、前記第2の幅と実質的に等しい第4の幅によって画定された第4境界面と、を有する中間層と、を備える3重層磁気抵抗効果センサ。