Pat

J-GLOBAL ID：200903047021768890

半導体試験装置並びに半導体試験装置用プローブユニット及びその製造方法

Inventor： 小原 文雄 ,  永山 義高
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 佐藤 強
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996083597
Publication number (International publication number)：1997274055
Application date： Apr. 05, 1996
Publication date： Oct. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ウエハバーンイン試験の高温環境下で電気的接触状態が良好に維持できる半導体試験装置とそのプローブユニットを提供する。【解決手段】 半導体ウエハ2の各半導体チップ8に対応してプローブユニット10を形成し、これらを合成してプローブ板11を構成する。ウエハ2をウエハホルダ1に収容し、プローブ板11を当てて押さえユニット15により押さえる。ウエハの熱膨張率に近い材質のものを用いる。各チップ8の電極パッドにはチップ単位で対応するプローブユニット10の接触子であるバンプ20が当接する。125°C程度の高温にさらされたときに、各プローブユニット10毎の位置ずれの量は数μm程度になる。最大の位置ずれ量をウエハ全体のものに比べて10分の1以下にすることができる。プローブユニット10の取り替えも簡単。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハ上に形成された複数の半導体チップのそれぞれに対する特性試験をその半導体ウエハの状態で行うことができるようにした半導体試験装置において、前記各半導体チップの表面に形成された複数の電極パッドのそれぞれと電気的に接触可能な複数の接触子を備えたプローブユニットを複数個合成してプローブ板を構成したことを特徴とする半導体試験装置。

IPC (4)：

G01R 1/073 ,  G01R 31/26 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/66

FI (5)：

G01R 1/073 E ,  G01R 31/26 H ,  G01R 31/26 J ,  H01L 21/66 B ,  G01R 31/28 K