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J-GLOBAL ID：200903047022892624

半導体プラグの形成方法

Inventor： 田島 和浩
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995176690
Publication number (International publication number)：1997008129
Application date： Jun. 20, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】 アスペクト比が高いコンタクト孔にも低抵抗の半導体プラグを形成する。【構成】 PSG膜41から成る側壁をコンタクト孔33の内周面に形成し、不純物を含まない多結晶Si膜44等でコンタクト孔33を埋め、PSG膜41から多結晶Si膜44へリンを固相拡散させる。多結晶Si膜44等が不純物を含んでいなければ、アスペクト比が高いコンタクト孔33でも良好に埋めることができ、しかも、PSG膜41から成る側壁をコンタクト孔33に形成しているので、固相拡散によって多結晶Si膜44の全体にリンを含ませることができる。

Claim (excerpt)：

不純物を含む絶縁膜から成る側壁をコンタクト孔の内周面に形成する工程と、前記側壁を形成した後に、不純物を含まない半導体膜で前記コンタクト孔を埋める工程と、熱処理を行って前記絶縁膜から前記半導体膜へ前記不純物を固相拡散させる工程とを具備することを特徴とする半導体プラグの形成方法。