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J-GLOBAL ID：200903047036547679

半導体レーザ励起固体レーザ装置

Inventor： 宮井 剛 ,  牧尾 諭 ,  佐藤 正純
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社
Agent (1)： 大場 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993241253
Publication number (International publication number)：1995099357
Application date： Sep. 28, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 レーザプリンタ装置などに用いられる波長可変固体レーザを用いたSHG光源において、波長制御素子と共振器ミラーを一体化することで小型化を実現し、信頼性を向上すること。【構成】 半導体レーザ11は集光光学系12により集光され、レーザ結晶31を励起する。励起されたレーザ結晶であるCr:LiSrAlF6は共振器ミラー21(M1,M2,M3)間で基本波41を発生する。レーザ結晶31の前方端面に形成された共振器ミラーM1(21-a)とM2(21-b)間にはレーザ結晶31と非線形光学結晶KNbO332が配置されている。光軸は共振器ミラーM2(21-b)で折り曲げられて、三角柱の波長分散プリズム33を透過後波長分散プリズム出射端面に形成された共振器ミラーM3(21-c)により反射され共振器を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体レーザと、前記半導体レーザにより励起されるレーザ結晶と、前記レーザ結晶を含む共振器構造を有し、前記共振器構造により発生される固体レーザ出力の可変発振波長幅Δλが20≦Δλ≦200nmである半導体レーザ励起固体レーザ装置において、発振波長幅Δλを10nm以下に選択する共振器ミラーを用いて波長制御することを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。

IPC (5)：

H01S 3/105 ,  G02F 1/37 ,  H01S 3/094 ,  H01S 3/16 ,  H01S 3/18