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J-GLOBAL ID：200903047055582566

ダイヤモンド上シリコンの回路構造物及びその製造方法

Inventor： シュランツ, グレゴリー, エー. ,  ゴール, スティーブン, ジェイ.
Applicant, Patent owner： ハリス・コーポレーション
Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1994515102
Publication number (International publication number)：1996505009
Application date： Dec. 18, 1992
Publication date： May. 28, 1996
Summary：

【要約】高熱伝導率の熱逸散路をもった誘電物に分離されたアイランドを含む集積回路構造物。半導体構造物は、多結晶材料の第1の層と、該第1の層の上に形成された多結晶ダイヤモンドから成る層から成る。該ダイヤモンド含有層の上に、多結晶シリコン層が形成され、該多結晶シリコン層の上に単結晶材料層が形成される。

Claim (excerpt)：

基板材料の第1の層を提供する工程; 該基板材料の第1の表面の上に多結晶ダイヤモンド層を形成する工程; 該多結晶ダイヤモンド層の上に多結晶シリコン薄層を形成する工程;および 該多結晶シリコン層の上に単結晶半導体材料層を形成する工程から成ることを特徴とする、電気的に分離した領域に複数のトランジスタを形成した集積回路構造物の製造法。

IPC (6)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/082 ,  H01L 29/73

FI (3)：

H01L 21/76 D ,  H01L 29/72 ,  H01L 27/08 101 L