Pat
J-GLOBAL ID：200903047060629074
パターニング方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福島 康文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991253956
Publication number (International publication number)：1993094765
Application date： Oct. 01, 1991
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：
【要約】【目的】例えば微小電界放出陰極の絶縁膜を成膜する場合のように、マスクを用いてパターニングする方法に関し、マスクを用いてパターニングする際に、マスクの外周部の下に傾斜が生じるのを抑制し、垂直に近いパターン輪郭を形成可能とすることを目的とする。【構成】マスクmの上から成膜物質を被着させ、マスクm以外の領域に成膜を行なうことでパターン形成する際に、マスクmに向けてイオンビームIBを照射し、マスクm上に堆積する被着物質をイオンミリングして除去しながら成膜を行なう。
Claim (excerpt)：
マスク(m) の上から成膜物質を被着させ、マスク(m) 以外の領域に成膜を行なうことでパターン形成する際に、マスク(m) に向けてイオンビーム(IB)を照射し、マスク(m) 上に堆積する被着物質をイオンミリングして除去しながら成膜を行なうことを特徴とするパターニング方法。
IPC (2)：
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