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J-GLOBAL ID：200903047064473990

半導体装置

Inventor： 仙波 直治 ,  高橋 信明 ,  西沢 厚 ,  日下 輝雄
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994327217
Publication number (International publication number)：1996186200
Application date： Dec. 28, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】フェイスダウンでボールバンプ接続をする半導体チップの放熱効果増大、バンプへの応力歪みの低減を図る。【構成】半導体チップ1の裏面にメタル層2、表面に放熱用パッド15を形成する。その上に、金属細線を用いてネイルヘッド方式のワイヤボンディングを行なう。テール部4aおよび4bを任意の長さに残し、ボンディングワイヤヒートシンク6aとする。これにより表面積が60〜80倍に増加させることができる。半導体チップ1の放熱経路を、ボンディングワイヤヒートシンク6aおよび6b、放熱フィン13aおよび13bとすることにより、応力歪みがボンディングワイヤヒートシンク6aおよび6bで吸収されるため、ボールバンプ8の接続信頼性が向上する。そのため、放熱特性が良好で、接続信頼性の高い,低コストの半導体装置が短TATで製造できる。

Claim (excerpt)：

半導体チップの一方面上に形成されたパッドにボールバンプが配設され、他方面上にメタライズ層が形成され、このメタライズ層上に金属細線を用いたネイルヘッド方式で形成される第1のネイルヘッドと、このネイルヘッド形成後の前記金属配線を前記ネイルヘッド形成面の垂直方向に残したテール部と、このテール部の終端に形成する第2のネイルヘッドとをそれぞれ複数個有し、これら第1および第2のネイルヘッドと前記テール部とがそれぞれ一体となってボンディングワイヤヒートシンクを構成することを特徴とする半導体装置。