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J-GLOBAL ID：200903047065602336

高誘電率誘電体薄膜の製造方法

Inventor： 大谷 成元
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992287767
Publication number (International publication number)：1994140385
Application date： Oct. 26, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 SrTiO3 系高誘電率誘電体薄膜の製造方法に関し、高い誘電率を有するSrTiO3 系誘電体薄膜の新規な製造方法を提供することを目的とする。【構成】 下地上に400°Cより低い温度で非晶質状SrTiO3 系薄膜を堆積する工程と、該非晶質状SrTiO3 系薄膜をレーザアニールまたはラピッドサーマルアニール処理して結晶化させ、SrTiO3 系薄膜を得る工程とを含む。

Claim (excerpt)：

下地(1)上に400°Cより低い温度で非晶質状SrTiO3 系薄膜(2)を堆積する工程と、該非晶質状SrTiO3 系薄膜(2)をレーザアニールまたはラピッドサーマルアニール処理して結晶化させ、SrTiO3 系薄膜(2a)を得る工程とを含む高誘電率誘電体薄膜の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/314 ,  C01F 11/02 ,  C01G 23/00 ,  C01G 23/04 ,  H01G 4/10 ,  H01L 27/04