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J-GLOBAL ID：200903047086403791

半導体電力変換装置の寿命推定方法および半導体電力変換装置

Inventor： 小玉 貴志
Applicant, Patent owner： 株式会社明電舎
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000291516
Publication number (International publication number)：2002101668
Application date： Sep. 26, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体電力変換装置の寿命を主回路素子のサンプルから推定するのでは、手間と時間がかかる。素子のスイッチング回数やジャンクション温度を基にした寿命予測では大まかな寿命予測になる。【解決手段】 温度検出器10はインバータ2のIGBTのベース板温度を測定し、リップル温度検出器13は運転/停止の単位計測期間でのベース板温度検出値からそのリップル温度を温度範囲別に測定し、カウンタ14は各リップル温度に対する発生回数を単位計測期間毎にカウントし、る威勢被害率演算部15はリップル温度に対する温度範囲別の寿命回数と実際の発生回数から累積被害率CDを求め、寿命算出部16は累積被害率CDから寿命L(=1/CD)を推定する。

Claim (excerpt)：

パワーデバイスを主回路素子として使用する半導体電力変換装置の寿命推定方法であって、前記主回路素子のベース板温度を直接測定または主回路素子の冷却フィン温度から推定し、単位計測期間での前記ベース板温度のリップル温度を温度範囲別に測定し、前記各リップル温度に対する発生回数を前記単位計測期間毎にカウントし、前記リップル温度に対する温度範囲別の寿命回数N1,N2,N3,...と実際の発生回数n1,n2,n3,...から次式CD=(n1/N1+n2/N2+n3/N3+...)L=1/CDに従って寿命Lを推定することを特徴とする半導体電力変換装置の寿命推定方法。

IPC (3)：

H02M 7/48 ,  G01R 31/00 ,  H02M 1/00

FI (3)：

H02M 7/48 M ,  G01R 31/00 ,  H02M 1/00 B

F-Term (15)：

2G036AA18 ,  2G036AA24 ,  2G036BA01 ,  2G036BB09 ,  2G036CA12 ,  5H007AA12 ,  5H007CA01 ,  5H007DB02 ,  5H007DB07 ,  5H007DC08 ,  5H007FA13 ,  5H740AA08 ,  5H740BA11 ,  5H740BB08 ,  5H740MM08