半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992000067
Publication number (International publication number)：1993206297
Application date： Jan. 06, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】アルミニウム膜/多結晶シリコン膜により形成した配線のコンタクト不良を低減させる。【構成】コンタクト孔3を含む表面に圧力0.5〜1.0Torrの減圧CVD法によりグレイン・サイズの小さい多結晶シリコン膜4を形成し、その上にアルミニウム膜5を堆積してパターニングし、水素アロイによりアルミニウム膜5中に多結晶シリコン膜を溶け込ませることにより、コンタクト孔のシリコンノジュールの発生を抑えコンタクト抵抗の増大を防ぐ。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けた層間絶縁膜を選択的に開孔してコンタクト孔を形成する工程と、前記コンタクト孔を含む表面に圧力0.5〜1.0Torrの減圧気相成長法により多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜の上にアルミニウム膜を堆積する工程と、前記アルミニウム膜及び多結晶シリコン膜を選択的に順次エッチングした後水素アロイにより合金化して配線を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/90 , H01L 21/28 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭49-098578
特開昭53-108278
特開昭60-046024

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