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J-GLOBAL ID：200903047089319678
ガスセンサ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
井出 直孝 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993289566
Publication number (International publication number)：1995140100
Application date： Nov. 18, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：
【要約】【目的】 ガスに接触するとその抵抗特性が変化する半導体の性質を利用して、特定ガス(例えば一酸化炭素)に大きい感度を有するガスセンサを得る。【構成】 ある種類のp型半導体は可燃性ガスに接触するとその抵抗値が変化する特性がある。別の種類のp型半導体は可燃性ガスに接触するとその抵抗値が同様に変化するが、特定ガスに対してその変化特性が異なるものがある。この二種類の半導体を共に同一の被検ガスにさらすとともに、特定ガス以外のガスについては抵抗値の変化が相殺されるような電気回路を設ける。【効果】 簡単な構成により特定ガスについて顕著な感度を有するガスセンサが得られる。
Claim (excerpt)：
少なくとも1種類のガスに接触したときに電気抵抗値が変化するp型半導体を含む第一種類の抵抗器と、前記少なくとも1種類のガスに接触したとき類似の特性で電気抵抗値が変化するとともに特定ガスに接触したとき前記第一種類の抵抗器とは異なる特性で電気抵抗値が変化するp型半導体を含む第二種類の抵抗器とを備え、この二種類の抵抗器が同一の被検ガスに接触するように配置され、前記特定ガス以外のガスに対する前記第一種類の抵抗器の電気抵抗値変化と前記第二種類の抵抗器の電気抵抗値変化とがほぼ相殺されるようにこの二種類の抵抗器を接続する電気回路を備えたことを特徴とするガスセンサ。
Patent cited by the Patent：
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