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J-GLOBAL ID：200903047094258717

クロスポイントメモリ用薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 宋 利憲 ,  朴 永洙 ,  姜 東勳 ,  金 昌▲ジュン▼ ,  林 赫
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007273037
Publication number (International publication number)：2008103732
Application date： Oct. 19, 2007
Publication date： May. 01, 2008
Summary：

【課題】クロスポイントメモリ用薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】クロスポイントメモリに選択トランジスタとして使われる薄膜トランジスタにおいて、基板と、基板上の一領域に形成されるゲートと、基板及びゲート上に形成されるゲート絶縁層と、ゲートに対向するゲート絶縁層上に形成されてZnOを含むチャンネルと、チャンネルの両側部とそれぞれ接触して形成されるソース及びドレインとを備えるクロスポイントメモリ用薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

クロスポイントメモリに選択トランジスタとして使われる薄膜トランジスタにおいて、 基板と、 前記基板上の一領域に形成されるゲートと、 前記基板及びゲート上に形成されるゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上において前記ゲートに対向する領域に形成されてZnOを含むチャンネルと、 前記チャンネルの両側部とそれぞれ接触して形成されるソース及びドレインとを備えることを特徴とするクロスポイントメモリ用薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 27/10 ,  H01L 29/786

FI (5)：

H01L27/10 471 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 616V ,  H01L27/10 451

F-Term (31)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083JA19 ,  5F083JA60 ,  5F083PR33 ,  5F110AA04 ,  5F110AA05 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110BB05 ,  5F110BB11 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42