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J-GLOBAL ID：200903047097472752

化合物半導体基板の研磨方法

Inventor： 鈴木 健二 ,  福井 徹
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994161541
Publication number (International publication number)：1996031779
Application date： Jul. 13, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 鏡面研磨の際に基板表面上に酸化物被膜が残留するのを防ぐことによってヘイズがなく且つ表面粗さの良好な鏡面を有する基板を得ることができる化合物半導体基板の研磨方法を提供する。【構成】 平板状のGaAs等の化合物半導体基板を、研磨液を供給しながら研磨布と擦り合わせて研磨することにより該基板の表面を鏡面に仕上げるにあたって、前記研磨液を、NaClO等の次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩及び過塩素酸塩から選ばれた塩素酸系の塩と水酸化ナトリウムとを主成分とする水溶液とし、且つpHを10以上11.5未満であるとする。【効果】 研磨液自体が酸化物皮膜の溶解作用を有することとなり、基板表面を表面粗さが良好で且つヘイズのない鏡面に加工することができるので、その基板を用いることにより特性の良好なデバイスが得られ、歩留りの向上が期待される。

Claim (excerpt)：

平板状の化合物半導体基板を、研磨液を供給しながら研磨布と擦り合わせて研磨することにより該基板の表面を鏡面に仕上げるにあたって、前記研磨液は、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩及び過塩素酸塩から選ばれた塩素酸系の塩と水酸化ナトリウムとを主成分とする水溶液であり、且つpHが10以上11.5未満であることを特徴とする化合物半導体基板の研磨方法。

IPC (5)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 37/00 ,  C09K 13/02 ,  C09K 13/04 ,  C23F 1/14