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J-GLOBAL ID:200903047100897506

パワー半導体モジュール及び車両用インバータ装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 武 顕次郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993199684
Publication number (International publication number):1995058282
Application date: Aug. 11, 1993
Publication date: Mar. 03, 1995
Summary:
【要約】【目的】必要な高耐圧特性を備え、しかも充分に高い信頼性を容易にもたせることができる合成樹脂モールドによるパワー半導体モジュールを提供すること。【構成】半導体素子104と電極端子106が取付けられた金属板105を、絶縁基板102を介して取付基板101に積層し、取付基板101の周辺接着部113で合成樹脂製のケース109を接着剤108で接着して封止したパワー半導体モジュールにおいて、ゲル状合成樹脂層111と硬質合成樹脂層112に加えて、ケースの接着部113の内面から金属板105の端面までゴム状合成樹脂層110を設けたもの。【効果】たゴム状合成樹脂層110は、取付基板101からケース109が剥離するのを抑えるので、水分の侵入などを無くすことができ、また、ゴム状合成樹脂層110は弾力性に富むので亀裂発生の虞れが無く、絶縁基板102の表面にも確実に接着するので、この部分での耐圧特性劣化の虞れは無くなり、従って、高耐圧で、高信頼性のパワー半導体モジュールを確実に得ることができる。
Claim (excerpt):
半導体素子と電極端子が取付けられた通電部を、絶縁基板を介して取付基板に積層し、該取付基板の周辺部に合成樹脂製のケースを接着して上記通電部を封止する方式のパワー半導体モジュールにおいて、上記取付基板に対する上記ケースの接着部分の内面にゴム状合成樹脂の被覆が設けられていることを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (2):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開昭59-100560
  • 特開昭63-143850
  • 特公平4-076212

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