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J-GLOBAL ID：200903047121630232

超電導型MRI用磁界発生装置

Inventor： 太田 公春 ,  結城 正広
Applicant, Patent owner： 住友特殊金属株式会社
Agent (1)： 押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993041834
Publication number (International publication number)：1994233747
Application date： Feb. 05, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】【目的】 超電導型MRIにおいて、対向配置する一対の磁極片の一方にのみに超電導コイルを周設した構成を採用し、医療用として必要な高磁界均一度を満足し、かつ被検者に心理的圧迫感を与えない開口部が大きく開放的な構成からなる超電導型MRI用磁界発生装置の提供。【構成】 4本の柱状継鉄5で磁極片7,8を着設した一対の継鉄板1,2を対向配置して開口部が大きく極めて開放的な構成で、超電導コイル6を周設した下側磁極片8の径を超電導コイル6のない上側磁極片7の径よりも大きくして磁界のアンバランスを改善し、上側磁極片7の外径よりも大径の外径を有する環状突起8aを設けその外周に超電導コイルを周設して、磁界均一度を大幅に改善し、磁極片の環状突起8aの空隙対向面外周部に、外向きに延出するフランジ部8cを設けて、実質的に磁極片8径を他方の磁極片7の径よりも大きくでき、装置を大型化することなく、均一磁界空間を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

所定の空隙を挟み対向する一対の磁極片を継鉄で接続した磁気回路からなり、磁極片の一方にのみ超電導コイルを周設し、かつ該コイルを周設した磁極片の径を他方の磁極片の径よりも大きくしたことを特徴とする超電導型MRI用磁界発生装置。

IPC (3)：

A61B 5/055 ,  G01R 33/38 ,  H01F 7/22

FI (4)：

A61B 5/05 331 ,  G01R 33/22 ZAA M ,  G01R 33/22 ZAA C ,  G01R 33/22 ZAA J