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J-GLOBAL ID：200903047121697809

半導体基板上の異物の分析方法

Inventor： 田中 博司
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991281163
Publication number (International publication number)：1993118966
Application date： Oct. 28, 1991
Publication date： May. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体基板上に存在するガスによるバックグランドを無くし、半導体基板を構成している元素が化合してできた異物についても構成する元素の組成を高感度で分析できる半導体基板上の異物の分析方法を得る。【構成】 容器6内に収容される半導体基板1上に所定のガス8を供給し、このガス8とともに半導体基板1上の異物2を吸引して摘出し、分析器10に導入して分析を行う。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に所定のガスを供給し、上記ガスとともに上記半導体基板上の異物を吸引して摘出し、分析するようにしたことを特徴とする半導体基板上の異物の分析方法。